qodef-image-with-icon

Clean room facility

La camera bianca del NEST è disposta su due diversi piani e ha due zone pricipali a classificazione ISO 7 e ISO 6 (si veda mappa sottostante) collegate da una scala di servizio di classe ISO 8.
Al suo interno sono disponibili tutti gli strumenti più avanzati per la nanofabbricazione e la caratterizzazione di dispositivi nanometrici, la crescita e la modifica di nanomateriali fino alla scala nanometrica. Per ulteriori dettagli si vedano le descrizioni sottostanti relative alle varie piattaforme tecnologiche esistenti.

Clean room, piano terra
Clean room, primo piano

Nanofabbricazione

All’interno della camera bianca sono disponibili diverse tecniche di nanofabbricazione, a cominciare dalla litografia ottica (risoluzione fino a 500 nm su 4″), a quella elettronica (risoluzione fino a 10 nm su 2″), litografia nanoimprint (risoluzione fino a 10 nm su 2″) e alle litografia basata su microscopie a scansione di sonda (SPM). Maggiori dettagli sulle tecniche disponibili sono riportati nella sezione di riferimento (LINK).

Misura e Caratterizzazione

Le tecniche di misura e caratterizzazione disponibili permettono di raggiungere risoluzione nanometrica su diverse tipologie di materiali. L’analisi con microscopia ottica e a fascio elettronico (SEM), le tecniche di imaging con microscopia a scansione di sonda (SPM), la profilometria a stilo e quella ottica, permettono caratterizzazione e misura di campioni metallici, semiconduttori ed isolanti con risoluzione nanometrica. Maggiori dettagli sono riportati nella sezione dedicata (LINK).

Spettroscopia

Le tecniche di spettroscopia disponibili al CCNEST quali la spettroscopia a dispersione di raggi X (EDS), quelle legate alla microscopia a scansione di sonda (SPM) ed elettronica (SEM), permettono di associare alla caratterizzazione strutturale anche la parte composizionale, consentendo di fare una analisi chimica del campione anche spazialmente risolta. Maggiori dettagli al seguente LINK.

Deposizione e crescita

Diverse tipologie di tecniche per la deposizione, crescita e modifica di varie tipologie di campioni (metallici, semiconduttori, polimerici) sono disponibili al CCNEST. Più nel dettaglio, evaporatori di tipo termico, a fascio elettronico, sistemi per sputtering e per deposizione di tipo atomic layer deposition (ALD) ci consentono di depositare strati nanometrici di metalli e dielettrici. Tecniche quali la chemical beam epitaxy (CBE) e chemical vapor deposition (CVD) permettono la crescita di nanofili semiconduttori e grafene. Infine, le strumentazioni per gli attacchi chimici da plasma reattivo (RIE e ICP-RIE) concedono ampia libertà nel modificare la materia sulla scala nanometrica. Maggiori dettagli nella pagina dedicata (LINK).