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Presso il Centro sono presenti attrezzature e strumentazioni per la crescita, la modifica e la deposizione di nanomateriali. Nel seguito vengono descritte alcune della tecnologie impiegate.

Crescita nanofili semiconduttori

I nanofili semiconduttori vengono cresciuti tramite tecnica chemical beam epitaxy (CBE) e sono realizzabilidiverse tipologie di nanostrutture : nanofili con catalizzatore di Au, nanofili senza catalizzatore, eterostrutture all’interno del nanofilo, tipologia core-shell etc. Tipicamente si impiegano semiconduttori III-V quali InAs, GaAs, InP, InSb. Le dimensioni laterali caratteristiche vanno da 10 a 100 nm, mentre la loro lunghezza varia tra 1 e 3 micrometri.

Sintesi di nanoparticelle

All’interno del CCNEST vengono sintetizzate in fase liquida diverse tipologie di nanoparticelle con diverse forme e dimensioni.

Per maggiori informazioni sottomettere una richiesta di contatto.

Crescita di grafene

Al CCNEST, tramite la collaborazione con IIT@NEST sono disponibili diverse tipologie di sintesi del grafene: esfoliazione meccanica, esfoliazione chimica, crescita da fase vapore (CVD). Si possono ottenere quindi cristalli di grafene su diversi substrati (SiO2, SiC, Cu, etc.). Di recente è iniziata anche una attività di crescita di altri tipi di cristalli bidimensionali.

Deposizione di metalli

Possono essere depositate diverse tipologie di metalli (normali o superconduttori) mediante tecniche di deposizone termica (effetto Joule), a fascio elettronico o sputtering tutte con controllo nanometrico dello spessore. Per maggiori informazioni utilizzare il form di contatto.

Deposizione di dielettrici

I dielettrici, sotto forma di film sottili, possono essere cresciuti i depositati utilizzando diverse tecniche, tutte disponibili al CCNEST: spin coating, sputtering, plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), atomic layer deposition (ALD). Il controllo sullo spessore puo’ avvenire anche al livello di singolo strato atomico. Per maggiori informazioni utlizzare il form di contatto.